dc.contributor.author | MONAICO, Eduard | |
dc.contributor.author | MONAICO, Elena | |
dc.contributor.author | URSACHI, Veaceslav | |
dc.contributor.author | TIGHINEANU, Ion | |
dc.date.accessioned | 2022-09-08T05:40:44Z | |
dc.date.available | 2022-09-08T05:40:44Z | |
dc.date.issued | 2021 | |
dc.identifier.citation | MONAICO, Eduard, MONAICO, Elena, URSACHI, Veaceslav et al. Procedeu de obţinere într-un singur pas tehnologic a nanofirelor de arseniură de galiu. In: PROINVENT 2021. Salonul internaţional al cercetării ştiinţifice, inovării şi inventicii. 20 - 22 octombrie 2021, ed. 19, Cluj-Napoca, Romania: catalog, 2021, pp. 309-310. ISSN 2810 – 2789. | en_US |
dc.identifier.issn | ISSN 2810 – 2789 | |
dc.identifier.uri | http://repository.utm.md/handle/5014/21097 | |
dc.description | Cererea de brevet de invenție: a2020 0053 din 2020.06.09. Domeniul de aplicabilitate: Invenţia se referă la tehnologia de producere a tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în special la procedee de obţinere a nanostructurilor prin tratament electrochimic, care pot fi folosite în microelectronică, optoelectronică şi nanoelectronică. | en_US |
dc.description.abstract | Este propus procedeul tehnologic pentru obţinerea rețelelor de nanofire de GaAs cu diametrul în diapazonul 100 – 500 nm prin corodarea electrochimică într-un singur pas tehnologic, care asigură producerea nanofirelor orientate perpendicular pe suprafața suportului și cu o distribuție omogenă pe suprafața plachetei de GaAs. La parametrii electrochimici optimal, nanofirele nu sunt crescute, ci spațiul din jurul nanofirelor este dizolvat. Astfel, nanofirele rămase au aceeași cristalinitate și puritate ca și cristalul folosit la corodare. | en_US |
dc.description.abstract | Herein, we propose the technological route in one-step via electrochemical etching of bulk GaAs substrates for obtaining of a network of semiconductor nanowires with a diameter in the range of 100 - 500 nm, the nanowires being oriented perpendicular to the surface of the substrate and with a homogeneous distribution on the surface of the semiconductor wafer. As a result of anodization at optimal electrochemical parameters, the nanowires are not growth but the space around the nanowires is etched and the remaining nanowires have the same crystallinity and purity as used wafer. | en_US |
dc.language.iso | en | en_US |
dc.language.iso | ro | en_US |
dc.publisher | Universitatea Tehnica din Cluj-Napoca | en_US |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | invenţii | en_US |
dc.subject | inventions | en_US |
dc.subject | nanofire de arseniură de galiu | en_US |
dc.subject | gallium arsenide nanowires | en_US |
dc.title | Procedeu de obţinere într-un singur pas tehnologic a nanofirelor de arseniură de galiu | en_US |
dc.title.alternative | One-step technological approach for GaAs nanowires obtaining | en_US |
dc.type | Article | en_US |
The following license files are associated with this item: