IRTUM – Institutional Repository of the Technical University of Moldova

Procedeu de obţinere într-un singur pas tehnologic a nanofirelor de arseniură de galiu

Show simple item record

dc.contributor.author MONAICO, Eduard
dc.contributor.author MONAICO, Elena
dc.contributor.author URSACHI, Veaceslav
dc.contributor.author TIGHINEANU, Ion
dc.date.accessioned 2022-09-08T05:40:44Z
dc.date.available 2022-09-08T05:40:44Z
dc.date.issued 2021
dc.identifier.citation MONAICO, Eduard, MONAICO, Elena, URSACHI, Veaceslav et al. Procedeu de obţinere într-un singur pas tehnologic a nanofirelor de arseniură de galiu. In: PROINVENT 2021. Salonul internaţional al cercetării ştiinţifice, inovării şi inventicii. 20 - 22 octombrie 2021, ed. 19, Cluj-Napoca, Romania: catalog, 2021, pp. 309-310. ISSN 2810 – 2789. en_US
dc.identifier.issn ISSN 2810 – 2789
dc.identifier.uri http://repository.utm.md/handle/5014/21097
dc.description Cererea de brevet de invenție: a2020 0053 din 2020.06.09. Domeniul de aplicabilitate: Invenţia se referă la tehnologia de producere a tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în special la procedee de obţinere a nanostructurilor prin tratament electrochimic, care pot fi folosite în microelectronică, optoelectronică şi nanoelectronică. en_US
dc.description.abstract Este propus procedeul tehnologic pentru obţinerea rețelelor de nanofire de GaAs cu diametrul în diapazonul 100 – 500 nm prin corodarea electrochimică într-un singur pas tehnologic, care asigură producerea nanofirelor orientate perpendicular pe suprafața suportului și cu o distribuție omogenă pe suprafața plachetei de GaAs. La parametrii electrochimici optimal, nanofirele nu sunt crescute, ci spațiul din jurul nanofirelor este dizolvat. Astfel, nanofirele rămase au aceeași cristalinitate și puritate ca și cristalul folosit la corodare. en_US
dc.description.abstract Herein, we propose the technological route in one-step via electrochemical etching of bulk GaAs substrates for obtaining of a network of semiconductor nanowires with a diameter in the range of 100 - 500 nm, the nanowires being oriented perpendicular to the surface of the substrate and with a homogeneous distribution on the surface of the semiconductor wafer. As a result of anodization at optimal electrochemical parameters, the nanowires are not growth but the space around the nanowires is etched and the remaining nanowires have the same crystallinity and purity as used wafer. en_US
dc.language.iso en en_US
dc.language.iso ro en_US
dc.publisher Universitatea Tehnica din Cluj-Napoca en_US
dc.rights Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States *
dc.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ *
dc.subject invenţii en_US
dc.subject inventions en_US
dc.subject nanofire de arseniură de galiu en_US
dc.subject gallium arsenide nanowires en_US
dc.title Procedeu de obţinere într-un singur pas tehnologic a nanofirelor de arseniură de galiu en_US
dc.title.alternative One-step technological approach for GaAs nanowires obtaining en_US
dc.type Article en_US


Files in this item

The following license files are associated with this item:

This item appears in the following Collection(s)

  • 2021
    Ediţia XIX-a, 20 - 22 octombrie

Show simple item record

Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States

Search DSpace


Browse

My Account