Detector de radiaţie infraroşie în baza nanofirului de arseniură de galiu

Abstract

Este propus procedeul tehnologic pentru fabricarea fotodetectorului de radiație infraroșie în baza unui singur nanofir de GaAs cu o sensibilitate înaltă și caracteristici dinamice bune, obținut prin corodarea electrochimică cost-efectivă a plachetei de GaAs, ce nu necesită echipamente sofisticate și costisitoare. Corodarea electrochimică se efectuează la temperatura camerei într-un electrolit de 1M HNO3. Un design special al contactelor ohmice de Cr/Au la capetele nanofirului de GaAs a fost aplicat prin litografie cu fascicul laser. Problema rezolvată prin invenția dată constă în elaborarea unui fotodetector de radiație infraroșie cu un fotorăspuns de ordinul a 100 mA/W și care poate fi încorporat pe o mare varietate de substraturi.

Herein, we propose the manufacture of IR photodetector based on single GaAs nanowire with good sensitivity and dynamic characteristics prepared by a costeffective electrochemical etching of GaAs wafer, which does not require sophisticated and expensive equipment. The electrochemical etching being performed at room temperature in 1M HNO3 electrolyte. A special design of Cr/Au ohmic contacts at the ends of the GaAs nanowire was applied via laser beam lithography. The task solved by the proposed invention consists in the elaboration of an infrared radiation photodetector with photoresponse of the order of 100 mA/W, which can be incorporated on a wide variety of substrates.