STAMOV, I.; DOROGAN, A.; SÎRBU, N.
(Technical University "Gheorghe Asachi" of Iași, 2018)
Stratul activ al întrerupătorului pe semiconductor este bazat pe compusul monocristalin Ag3AsS3, plasat între contacte metalice. Timpul de comutare a dispozitivului din stare ohmic cu valori mari la valori joase constituie ...