Stratul activ al întrerupătorului pe semiconductor este bazat pe compusul monocristalin Ag3AsS3, plasat între contacte metalice. Timpul de comutare a dispozitivului din stare ohmic cu valori mari la valori joase constituie zecimi de secunde și depinde de valoarea voltajului aplicat. Schimbarea stării ohmice de la valori mari la valori joase apare la aplicarea presiunii mecanice asupra stratului activ. Această structură poate fi utilizată pentru crearea cântarelor electronice de precizie înaltă, datorită posibilității măsurării greutăților de ordinul 5•10-5grame. Structura este sensibilă la vibrații mecanice.
The active layer of the semiconductor switch is based on
single crystal compound Ag3AsS3 placed between metal
electrodes. The switching time from high to low ohmic state
of the device consists tenths of seconds and depends on
the applied voltage. The change of switching time to low
ohmic state occurs if applying mechanical pressure on the
active layer. This structure can be used to manufacture high
precision electronic scales, as it permits to measure weights
of 5•10-5grams. The structure is also sensible to vibrations.
Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States