Фотоэлектрические свойства гетеропереходов на основе структурных модификаций дифосфида цинка

Abstract

Исследованы фотоэлектрические свойства гетеропереходов на α и β модификациях дифосфида цинка. Изучены анизотипные p(β) – n(α) и изотипные n1(β) – n2(α) структуры. Показано, что спектральные характеристики фототока определяются электронными переходами в каждой из фаз, ориентацией плоскости поляризации и волнового вектора излучения относительно кристаллографических направлений фаз в структуре и границы раздела гетероперехода. Обнаружены особенности в спектральной характеристике фототока, связанные, с дефектами слоев и границы раздела гетероперехода.