Procedee de obţinere a semiconductorilor pe bază de GaN:Mg

Abstract

Procedeul, conform invenţiei, constă în obţinerea nanoparticulelor şi nanomicrofirelor de GaN cu conductibilitate de tip P prin intermediul reacţiilor chimice a unui compus chimic, utilizat ca sursă a atomilor de galiu şi acetat de magneziu Mg(CH3COO)2, sau acetat tetrahidrat de magneziu Mg(CH3COO)2*4H2O – ca sursă a atomilor de magneziu în procesul hidrotermal.

The process according to the invention consists in obtaining GaN nanoparticles and nanoparticles with p-conductivity by means of chemical reactions of a chemical compound, used as the source of gallium atoms and magnesium acetate Mg (CH3COO)2, or aceate tetrahydrate of magnesium Mg (CH3COO)2*4H2O – as a source of magnesium atoms in the hydrothermal process