Două rețele de pori au fost produse prin anodizarea suprafeței plachetei semiconductoare acoperite cu o mască care conține găuri: (i) o rețea de pori primari, care se propagă sub mască într-o direcție paralelă cu suprafața probei și perpendicular pe marginea la mască; (ii) o rețea de pori secundari, care se propagă inițial în orificiul măștii în direcții radiale și ulterior își schimbă direcția de propagare în direcția porilor primari. Avantajele procedeului propus constau în posibilitatea obtinerii mai multor retele de pori independente în aceeași regiune folosind echipamente accesibile și tehnologii cost-efective. Autorii aduc mulțumiri proiectelor #21.00208.5007.15/PD și #20.80009.5007.20.
Two pore networks were produced at anodization of the surface of semiconductor wafer covered with a mask contains holes: (i) a network of primary pores, which propagate under the mask in a direction parallel to the surface of the sample and perpendicular to the edge of the mask; (ii) a network of secondary pores, which initially propagate in the hole of the mask in radial directions and subsequently change their direction of propagation in the direction of the primary pores. The advantages of the proposed process consist in the possibility of obtaining several independent pore networks in the same region using accessible equipment and cost-effective technologies. Authors thanks to #21.00208.5007.15/PD and #20.80009.5007.20 projects.
Except where otherwise noted, this item's license is described as Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States