Browsing Brevete by Author "TIGHINEANU, Ion"

Sort by: Order: Results:

  • TIGHINEANU, Ion; URSACHI, Veaceslav; ALBU, Sergiu; MONAICO, Eduard (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2008-01-31)
    Invenţia se referă la tehnica semiconductorilor, în special la dispozitive semiconductoare cu capacitate variabilă. Dispozitivul semiconductor de tip varactor în baza diodei Schottky include un substrat semiconductor ce ...
  • URSACHI, Veaceslav; MONAICO, Eduard; TIGHINEANU, Ion; SÎRBU, Lilian (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2006-04-30)
    Invenţia se referă la optoelectronică, în special la lasere pe bază de semiconductori cu rezonatoare aleatorii. Laserul cu semiconductori cu rezonatoare aleatorii include o fază de emitere şi amplificare a radiaţiei ...
  • HOTINEANU, Vladimir; SCORPAN, Anatol; CAZAC, Anatol; TIGHINEANU, Ion; POPA, Veaceslav; BRANIŞTE, Fiodor (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2014-10-31)
    Invenţia se referă la medicină, în special la chirurgie şi poate fi utilizată pentru stimularea motilităţii tractului gastrointestinal în diverse patologii. Conform invenţiei, metoda revendicată constă în aceea că se ...
  • ALBU, Sergiu; MONAICO, Eduard; URSACHI, Veaceslav; TIGHINEANU, Ion (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2006-05-31)
    Invenţia se referă la optoelectronică, în particular la procedeele de obţinere a cristalului fotonic pe semiconductor. Procedeul de obţinere a cristalului fotonic pe semiconductor include decaparea electrochimică a cel ...
  • MONAICO, Eduard; URSACHI, Veaceslav; MONAICO, Elena; TIGHINEANU, Ion (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală, 2023-08-31)
    Invenţia se referă la optoelectronică, în particular la fotodetectoare de radiaţie infraroşie. Fotodetectorul de radiaţie infraroşie include un nanofir de GaAs şi contacte metalice. Totodată, nanofirul este fabricat prin ...
  • ENACHI, Mihail; URSACHI, Veaceslav; TIGHINEANU, Ion; BURLACU, Alexandru (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2008-09-30)
    Invenţia se referă la optoelectronică, în special la microlasere aleatoare, care pot fi aplicate în spectroscopie, diagnostica medicală, producerea display-urilor etc. Procedeul de obţinere a microlaserului aleator include ...
  • SÎRBU, Lilian; URSACHI, Veaceslav; MONAICO, Elena; TIGHINEANU, Ion (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2009-01-31)
    Invenţia se referă la optoelectronică, în special la microlasere aleatorii, care pot fi utilizate în spectroscopie, diagnostica medicală, producerea display-urilor etc. Procedeul de obţinere a microlaserului aleatoriu ...
  • MONAICO, Eduard; MONAICO, Elena; URSACHI, Veaceslav; TIGHINEANU, Ion (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală, 2023-01-31)
    Invenţia se referă la tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în particular la procedee de obţinere a nanostructurilor prin tratare electrochimică. Procedeul, conform invenţiei, include executarea unui ...
  • MONAICO, Elena; MONAICO, Eduard; URSACHI, Veaceslav; TIGHINEANU, Ion (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală, 2023-09-30)
    Invenţia se referă la tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în special la procedee de obţinere a nanostructurilor prin tratament electrochimic, care pot fi folosite în microelectronică, optoelectronică ...
  • MONAICO, Eduard; MONAICO, Elena; URSACHI, Veaceslav; TIGHINEANU, Ion (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală, 2022-11-30)
    Invenţia se referă la tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în special la procedee de obţinere a nanomembranei perforate de Au. Procedeul, conform invenţiei, include depunerea electrochimică în regim de ...
  • TIGHINEANU, Ion; SÎRBU, Lilian; URSACHI, Veaceslav; ALBU, Sergiu (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2006-02-28)
    Invenţia se referă la tehnologia semiconductorilor, în particular la procedee de obţinere a nanostructurilor semiconductoare. Procedeul de obţinere a nanostructurilor semiconductoare constă în decaparea electrochimică a ...
  • ENACHI, Mihail; TIGHINEANU, Ion; URSACHI, Veaceslav; MONAICO, Eduard (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2008-09-30)
    Invenţia se referă la tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în special la procedee de obţinere a nanostructurilor prin tratament electrochimic, care pot fi aplicate în micro-, opto- şi nanoelectronică. ...
  • ENACHI, Mihail; TIGHINEANU, Ion; URSACHI, Veaceslav (Agentia de Stat pentru Proprietatea Intelectuala a Republicii Moldova, 2010-08-31)
    Invenţia se referă la procedeele de obţinere a nanomaterialelor, în particular la un procedeu de obţinere a nanotuburilor din dioxid de titan. Procedeul, conform invenţiei, include degresarea foliei de titan şi anodizarea ...
  • SÎRBU, Lilian; URSACHI, Veaceslav; TIGHINEANU, Ion; BURLACU, Alexandru; ENACHI, Mihail (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2006-06-30)
    Invenţia se referă la tehnica cu semiconductori, în particular la procedeele de obţinere a nanostructurilor. Procedeul de obţinere a nanotuburilor metalice constă în depunerea electrochimică a metalelor în porii semiconductorului ...
  • MONAICO, Eduard; TIGHINEANU, Ion; URSACHI, Veaceslav; POSTOLACHE, Vitalie (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2009-01-31)
    Invenţia se referă la producerea semiconductorilor. Procedeul de obţinere a zonelor nanostructurale semiconductoare include depunerea pe una din feţele unui cristal semiconductor a unei măşti cu o porţiune deschisă, corodarea ...
  • POPA, Veaceslav; TIGHINEANU, Ion; URSACHI, Veaceslav; VOLCIUC, Olesea (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2006-03-31)
    Invenţia se referă la tehnica semiconductorilor, în special la senzori de gaze pe semiconductori de tip rezistiv. Senzorul de gaze pe semiconductori include un substrat, pe una din suprafeţele căruia este amplasat un strat ...
  • POPA, Veaceslav; VOLCIUC, Olesea; TIGHINEANU, Ion; URSACHI, Veaceslav (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2006-06-30)
    Invenţia se referă la tehnica semiconductorilor, în particular la senzori de gaze pe semiconductori. Senzorul de gaze pe semiconductori include un substrat, pe una din suprafeţele căruia este depus un strat sensibil la ...

Search DSpace


Browse

My Account