Browsing Inventii by Subject "nanostructures"

Sort by: Order: Results:

  • VERJBIŢKI, Valeri; LUPAN, Oleg; RAILEAN, Serghei (Romanian Inventors Forum, 2018)
    The device for measuring the resistance of nanostructure of semiconductor oxide sensors includes an adjustable reference voltage source connected to a series-connected nanostructure Rx and a reference resistance R0, the ...
  • VERJBIŢKI, Valeri; LUPAN, Oleg; RAILEAN, Serghei (Romanian Inventors Forum, 2020)
    The device comprises an adjustable reference voltage source connected to the output of a microcontroller and connected in series to the investigated nanostructured sensor and to the reference resistor, the connection point ...
  • VERJBIŢKI, Valeri; LUPAN, Oleg (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2016-04-30)
    Invenţia se referă la domeniul tehnicii de măsurare şi poate fi utilizată în aparate de măsurat, în care se utilizează senzori pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi. Dispozitivul de măsurare a parametrilor ...
  • DOROGAN, A.; DOROGAN, V.; VIERU, T.; SÎRBU, A.; SÎRBU, N.; ZALOMAI, V. (Romanian Inventors Forum, 2012)
    An analysis method of nanostructures’ quality had been developed using the calculation of optic reflection spectra according to the dispersion relations of the multiple oscillators method applied to the excitonic polaritons ...
  • DOROGAN, A.; DOROGAN, V.; VIERU, T.; SÎRBU, A.; SÎRBU, N.; ZALOMAI, V. (Universitatea Tehnică din Cluj-Napoca, 2012)
    A fost elaborată o metodă de analiză a calităţii nanostraturilor utilizând calculele spectrelor optice de reflexie conform relaţiilor de dispersie ale modelului oscilatorilor multipli aplicată pentru polaritonii excitonici ...
  • LUPAN, Cristian; BÎRNAZ, Adrian; BUZDUGAN, Artur; SANDBERG, Viviana; BÂRSA, Tudor; LUPAN, Oleg (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova (AGEPI), 2023)
    Invenţia se referă la tehnica de măsurători, în special la procedee de îmbunătăţire a detecţiei la temperaturi mai joase a prezenţei în mediu a n-Butanolului și Hidrogenului, precum și îmbunăţirii sensibilităţii lor la ...
  • MONAICO, Eduard; MONAICO, Elena; URSACHI, Veaceslav; TIGHINEANU, Ion (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală, 2023-01-31)
    Invenţia se referă la tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în particular la procedee de obţinere a nanostructurilor prin tratare electrochimică. Procedeul, conform invenţiei, include executarea unui ...
  • MONAICO, Elena; MONAICO, Eduard; URSACHI, Veaceslav; TIGHINEANU, Ion (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală, 2023-09-30)
    Invenţia se referă la tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în special la procedee de obţinere a nanostructurilor prin tratament electrochimic, care pot fi folosite în microelectronică, optoelectronică ...
  • ENACHI, Mihail; TIGHINEANU, Ion; URSACHI, Veaceslav; MONAICO, Eduard (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2008-09-30)
    Invenţia se referă la tehnologia de producere a materialelor nanostructurate, în special la procedee de obţinere a nanostructurilor prin tratament electrochimic, care pot fi aplicate în micro-, opto- şi nanoelectronică. ...
  • SÎRBU, Lilian; URSACHI, Veaceslav; TIGHINEANU, Ion; BURLACU, Alexandru; ENACHI, Mihail (Agenția de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova, 2006-06-30)
    Invenţia se referă la tehnica cu semiconductori, în particular la procedeele de obţinere a nanostructurilor. Procedeul de obţinere a nanotuburilor metalice constă în depunerea electrochimică a metalelor în porii semiconductorului ...
  • TROFIM, Viorel; LUPAN, Oleg; CREŢU, Vasilii (Agenţia de Stat pentru Proprietatea Intelectuală a Republicii Moldova (AGEPI), 2013)
    Invenţia se referă la o tehnologie nouă şi eficientă pentru obţinerea de nanostructuri de MoO3. Tehnologia permite de a obţine nano-microstructuri de MoO3 timp de 20 de minute la temperaturi mult mai mici decât cele raportate ...
  • DOROGAN, Valerian; VIERU, Tatiana; ZAPOROJAN, Sergiu; DOROGAN, Andrei; VIERU, Stanislav; MUNTEANU, Eugen; SECRIERU, Vitalie (Universitatea Tehnică din Cluj-Napoca, 2013)
    Senzorul este confecţionat în baza nano-structurilor GaN cu joncţiune p-n profilată şi capacitate variabilă în funcţie de tensiunea aplicată şi intensitatea radiaţiei ultraviolete incidente. Avantajele constau în sensibilitate ...

Search DSpace


Browse

My Account