Dispozitiv de măsurare a parametrilor senzorului pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi în diapazon de ordinul microwaţilor

Abstract

Invenția se referă la domeniul tehnicii de măsurare și poate fi utilizată în aparate de măsurat, în care se utilizează senzori pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi. Dispozitivul de măsurare a parametrilor senzorului pe bază de oxizi semiconductori nanostructuraţi în diapazon de ordinul microwaților include o sursă de tensiune de referință reglabilă, conectată în serie cu un senzor cercetat și o rezistentă etalon, căderea totală a tensiunii pe senzor și rezistența etalon și, separat, căderea de tensiune pe rezistența etalon fiind aplicate la intrările a două convertoare analogic-digitale ale unui microcontroler prin două amplificatoare operaționale, ieșirile microcontrolerului sunt conectate print-un convertor digital-analogic la intrarea sursei de tensiune de referință reglabilă și la un ecran pentru afișarea rezultatelor obținute.

The invention relates to the field of measuring technology and can be used in measuring instruments that use sensors based on nanostructured semiconductor oxides. The device for measuring the parameters of a sensor based on nanostructured semiconductor oxides in the range of the order of microwatts comprises an adjustable reference voltage source, connected in series to a test sensor and a standard resistance, the total voltage drop across the sensor and the standard resistance, and separately, the voltage drop across the standard resistance being applied to the inputs of two analog-to-digital converters of a microcontroller through two operational amplifiers, the outputs of the microcontroller are connected by a digital-to-analog converter to the input of the adjustable reference voltage source and to a screen for displaying the obtained results.