Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2S3

UNTILA, Dumitru; SPRINCEAN, Veaceslav; CARAMAN, Mihail; CARAMAN, Iuliana; TIGHINEANU, Ion; COJOCARU, Ala; LUPAN, Oleg; PALACHI, Leonid

Home
→
Facultatea Electronică şi Telecomunicaţii
→
Conferinţa Internaţională "Telecomunicaţii, Electronică şi Informatică" - ICTEI
→
2018
→
View Item

dc.contributor.author	UNTILA, Dumitru
dc.contributor.author	SPRINCEAN, Veaceslav
dc.contributor.author	CARAMAN, Mihail
dc.contributor.author	CARAMAN, Iuliana
dc.contributor.author	TIGHINEANU, Ion
dc.contributor.author	COJOCARU, Ala
dc.contributor.author	LUPAN, Oleg
dc.contributor.author	PALACHI, Leonid
dc.date.accessioned	2019-05-15T10:44:34Z
dc.date.available	2019-05-15T10:44:34Z
dc.date.issued	2018
dc.identifier.citation	UNTILA, Dumitru, SPRINCEAN, Veaceslav, CARAMAN, Mihail et al. Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2S3. In: Telecomunicaţii, Electronică şi Informatică: proc. of the 6th intern. conf., May 24-27, 2018. Chişinău, 2018, pp. 240-245. ISBN 978-9975-45-540-4.	en_US
dc.identifier.isbn	978-9975-45-540-4
dc.identifier.uri	http://repository.utm.md/handle/5014/2468
dc.description.abstract	Prin tratament termic (TT), în atmosferă normală, al monocristalelor β-Ga2S3, cu rețea cristalină monoclinică, la temperaturi din intervalul 970-1170 K, timp de 3-6 ore, suprafața acestora se acoperă cu un strat omogen de β-Ga2O3, cu rețea cristalină monoclinică. La interfața monocristal-oxid se formează nanocristalite de Ga2O3 și Ga2S3. Structura cristalină și dimensiunile medii ale cristalitelor sunt analizate prin măsurări XRD, SEM și Raman.	en_US
dc.language.iso	ro	en_US
dc.publisher	Tehnica UTM	en_US
dc.rights	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States	*
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/	*
dc.subject	monocristale	en_US
dc.subject	monocrystals	en_US
dc.title	Caracterizarea structurală a nanoformațiunilor de Ga2O3 obținute prin tratament termic al monocristalelor Ga2S3	en_US
dc.type	Article	en_US