Mecanismele de împrăştiere a purtătorilor de sarcină în antimonidul de galiu nedopat

Abstract

În această lucrare sau studiat efectele galvanomagnetice pentru antimonidul de galiu nedopat pentru un interval de temperaturi (4,2÷300 K) şi un interval de concentraţii (NA-ND) (1,5•1016÷5•1019 cm-3). Au fost studiate (RH, σ, μ) ale monocristalelor de antimonid de galiu de tip-p crescut prin metoda topirii zonale modificate. S-au analizat mecanismele de împrăştiere a purtătorilor de sarcină în raport cu temperatura şi în raport cu concentraţia (NA-ND).

The present work deals with the galvanomagnetic effects of the undoped gallium antimonide in the temperature range of (4.2÷300 K) and in the concentration range of (1.5•1016÷5•1019cm-3) for (NA-ND). The objects of the investigation were (RH, σ, μ) of the gallium antimonide single crystals of p-type grown using the modified method of zone melting. Under study were the mechanisms of the distribution of the charge carriers against the temperature and the concentration of (NA-ND).

Dans cet ouvrage ont été étudié les effets galvano magnétiques pour d’antimoniure de gallium non dopé pour un intervalle de température (4,2÷300 K) et un intervalle de concentrations (1,5•1016÷5•1019 cm-3). Aussi out été étudié (RH, σ, μ) des cristales d’antimoniure de gallium de tip-p grandi par la méthode de fusion zonale modifiée. De même, ont avalisé les modalités des porte-charges par rapport avec la température et aussi par rapport avec la concentration (NA-ND).

В данной работе изучены гальваномагнитные эффекты для нелегированных кристаллов антимонида галлия в температурном интервале (4,2÷300 K) и диапазоном концентрации (NA-ND) (1,5•1016÷5•1019 cm-3). Были изучены (RH, σ, μ) для кристаллов антимонида галлия типа-p, выращенные методом модифицированной зонной плавки. Были проанализированы механизмы рассеяния носителей заряда в зависимости от температуры и концентраций (NA-ND).